上一篇文章，我们介绍了氧化镓这种材料的相关知识以及应用前景，今天我们来看氧化镓实现大规模应用亟需解决的关键问题。

氧化镓材料是最有可能在未来大放异彩的材料之一，在未来的10年左右，氧化镓器件有可能成为具有竞争力的电力电子器件，会直接与碳化硅器件竞争。

目前针对氧化镓展开研究的各大企业、高校和研究所都对其性能寄予厚望，但距离真正应用还需要解决很多关键问题。

-氧化镓晶圆-

未来，氧化镓材料需要在高质量、低缺陷、大尺寸单晶方面的生产技术进行突破，并在实验室电子器件的商业化、大规模应用上发力。我们具体来看：

1、大尺寸

氧化镓的禁带宽度比氮化镓、碳化硅等更宽，功率可以做得更高，也更加省电。氧化镓的制备条件比较苛刻，目前外延材料以2~3英寸的小尺寸为主，量产和应用还有一段路要走。

据了解，大尺寸高质量单晶的制作，目前仅有日本企业研发出6英寸单晶，但是还未实现批量供货。

2、低缺陷

散热能力不足是氧化镓的弊端，如何绕开这个弊端，充分发挥它在功率器件上的优势，是值得关注的发展方向。氧化镓在器件和产业发展上还有很大的空间，发展的基础取决于材料本身和材料制备水平，要实现更低的缺陷密度，把材料的优势和潜力充分发掘出来，这是未来超宽禁带技术和产业发展的基础。

大尺寸低缺陷氧化镓单晶的制备方法以及高表面质量氧化镓晶片的超精密加工技术，是实现氧化镓半导体器件工业应用的主要瓶颈。

氧化镓材料的短板主要在于导热性能较差。因此，许多单位开展将晶圆级氧化镓薄膜转移至高导热衬底的研究，如转移到高导热率碳化硅和碳基衬底上异质集成制备氧化镓MOSFET器件，近日也出现了将氧化镓与金刚石进行键合的消息。

可以看到，目前氧化镓材料大功率、高效率电子器件还处于实验室阶段的研发，在大规模实际应用方面还有欠缺。

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